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SQS944ENW-T1_GE3

SQS944ENW-T1_GE3

僅供參考

型號 SQS944ENW-T1_GE3
PNEDA編號 SQS944ENW-T1_GE3
描述 MOSFET N-CHAN 40V
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQS944ENW-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQS944ENW-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SQS944ENW-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds615pF @ 25V
功率-最大27.8W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱PowerPAK® 1212-8W Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8W Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

54A (Tc), 62A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

197nC @ 10V, 104nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 2.7V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.26V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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