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SRAS850HMNG

SRAS850HMNG

僅供參考

型號 SRAS850HMNG
PNEDA編號 SRAS850HMNG
描述 DIODE SCHOTTKY 50V 8A TO263AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,814
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SRAS850HMNG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SRAS850HMNG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SRAS850HMNG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果700mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

370mV @ 10mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

7µA @ 10V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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600V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.1V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 8A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 650V

電容@ Vr,F

395pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

TO-252-2

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

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