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SS12HE3/5AT

SS12HE3/5AT

僅供參考

型號 SS12HE3/5AT
PNEDA編號 SS12HE3-5AT
描述 DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 19 - 十一月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS12HE3/5AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS12HE3/5AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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SS12HE3/5AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果500mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 20V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-65°C ~ 125°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

105ns

當前-反向泄漏@ Vr

8µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

380mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 10V

電容@ Vr,F

40pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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