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SS16-M3/61T

SS16-M3/61T

僅供參考

型號 SS16-M3/61T
PNEDA編號 SS16-M3-61T
描述 DIODE SCHOTTKY 1A 60V DO-214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 89,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS16-M3/61T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS16-M3/61T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS16-M3/61T, SS16-M3/61T數據表 (總頁數: 4, 大小: 331.16 KB)
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SS16-M3/61T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 60V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-123HE

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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