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SS1FH6-M3/I

SS1FH6-M3/I

僅供參考

型號 SS1FH6-M3/I
PNEDA編號 SS1FH6-M3-I
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,632
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS1FH6-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS1FH6-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS1FH6-M3/I, SS1FH6-M3/I數據表 (總頁數: 6, 大小: 128 KB)
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SS1FH6-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果700mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 60V
電容@ Vr,F90pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-201AD

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

900pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 400V

電容@ Vr,F

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