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SS1FN6HM3/I

SS1FN6HM3/I

僅供參考

型號 SS1FN6HM3/I
PNEDA編號 SS1FN6HM3-I
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS1FN6HM3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS1FN6HM3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS1FN6HM3/I, SS1FN6HM3/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 106.29 KB)
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SS1FN6HM3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果530mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr800µA @ 60V
電容@ Vr,F90pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

2-SMD, J-Lead

供應商設備包裝

SJP

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 200V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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