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SS1H10HE3_B/H

SS1H10HE3_B/H

僅供參考

型號 SS1H10HE3_B/H
PNEDA編號 SS1H10HE3_B-H
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 16,032
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS1H10HE3_B/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS1H10HE3_B/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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SS1H10HE3_B/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q100
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果860mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝SMA (DO-214AC)
工作溫度-結點175°C (Max)

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630mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

900µA @ 60V

電容@ Vr,F

245pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

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470mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

23ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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