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SS1P6LHE3/85A

SS1P6LHE3/85A

僅供參考

型號 SS1P6LHE3/85A
PNEDA編號 SS1P6LHE3-85A
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO220AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 6,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
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SS1P6LHE3/85A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS1P6LHE3/85A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS1P6LHE3/85A, SS1P6LHE3/85A數據表 (總頁數: 4, 大小: 100.96 KB)
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SS1P6LHE3/85A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果590mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 60V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-220AA
供應商設備包裝DO-220AA (SMP)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

65ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

520mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 30V

電容@ Vr,F

100pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Full Pack

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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