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SS210HE3/52T

SS210HE3/52T

僅供參考

型號 SS210HE3/52T
PNEDA編號 SS210HE3-52T
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 1.5A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS210HE3/52T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS210HE3/52T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS210HE3/52T, SS210HE3/52T數據表 (總頁數: 4, 大小: 85.92 KB)
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SS210HE3/52T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr30µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

80A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 220A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-55°C ~ 180°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

250mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 200V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-323

工作溫度-結點

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制造商

Comchip Technology

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

30mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

370mV @ 1mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 40V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

2-SMD, No Lead

供應商設備包裝

0603C/SOD-523F

工作溫度-結點

125°C (Max)

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Powerex Inc.

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1800A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30µs

當前-反向泄漏@ Vr

400mA @ 4500V

電容@ Vr,F

-

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