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SS26-M3/5BT

SS26-M3/5BT

僅供參考

型號 SS26-M3/5BT
PNEDA編號 SS26-M3-5BT
描述 DIODE SCHOTTKY 2A 60V DO-214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 22 - 十二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS26-M3/5BT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS26-M3/5BT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS26-M3/5BT, SS26-M3/5BT數據表 (總頁數: 4, 大小: 92.12 KB)
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SS26-M3/5BT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果700mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr400µA @ 60V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 2500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

22pF @ 4V, 1MHz

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包裝/箱

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