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SS2FL4HM3/I

SS2FL4HM3/I

僅供參考

型號 SS2FL4HM3/I
PNEDA編號 SS2FL4HM3-I
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO-219AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS2FL4HM3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS2FL4HM3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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SS2FL4HM3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果580mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr220µA @ 40V
電容@ Vr,F125pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100mA @ 4200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AE

供應商設備包裝

BG-D12035K-1

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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800V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 800V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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50V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 600V

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