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SS2P6-M3/85A

SS2P6-M3/85A

僅供參考

型號 SS2P6-M3/85A
PNEDA編號 SS2P6-M3-85A
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO220AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS2P6-M3/85A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS2P6-M3/85A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS2P6-M3/85A, SS2P6-M3/85A數據表 (總頁數: 4, 大小: 95.91 KB)
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SS2P6-M3/85A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果700mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 60V
電容@ Vr,F80pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-220AA
供應商設備包裝DO-220AA (SMP)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

35pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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