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SS32HE3/9AT

SS32HE3/9AT

僅供參考

型號 SS32HE3/9AT
PNEDA編號 SS32HE3-9AT
描述 DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS32HE3/9AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS32HE3/9AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS32HE3/9AT, SS32HE3/9AT數據表 (總頁數: 4, 大小: 90 KB)
PDFSS36-7001HE3_A/I數據表 封面
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SS32HE3/9AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果500mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 20V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 125°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電流-平均整流(Io)

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

550µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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