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SS33HE3_A/H

SS33HE3_A/H

僅供參考

型號 SS33HE3_A/H
PNEDA編號 SS33HE3_A-H
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS33HE3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS33HE3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS33HE3_A/H, SS33HE3_A/H數據表 (總頁數: 4, 大小: 90 KB)
PDFSS36-7001HE3_A/I數據表 封面
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SS33HE3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果500mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 30V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 125°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

42ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

27µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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