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SS3H10-E3/57T

SS3H10-E3/57T

僅供參考

型號 SS3H10-E3/57T
PNEDA編號 SS3H10-E3-57T
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 205,584
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS3H10-E3/57T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS3H10-E3/57T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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SS3H10-E3/57T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr20µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

155ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

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TO-220AB

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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35V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.33V @ 471A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

35mA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

910mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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