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SS3P6-E3/84A

SS3P6-E3/84A

僅供參考

型號 SS3P6-E3/84A
PNEDA編號 SS3P6-E3-84A
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS3P6-E3/84A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS3P6-E3/84A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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SS3P6-E3/84A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果780mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 60V
電容@ Vr,F80pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-220AA
供應商設備包裝DO-220AA (SMP)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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100V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

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