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SS5P10-M3/87A

SS5P10-M3/87A

僅供參考

型號 SS5P10-M3/87A
PNEDA編號 SS5P10-M3-87A
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 48,462
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS5P10-M3/87A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS5P10-M3/87A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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SS5P10-M3/87A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr15µA @ 100V
電容@ Vr,F130pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

SMB

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

SB550A-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

VS-70HFLR40S05

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.85V @ 219.8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-203AB

工作溫度-結點

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制造商

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.2V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

19pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

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