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SS5P6-E3/86A

SS5P6-E3/86A

僅供參考

型號 SS5P6-E3/86A
PNEDA編號 SS5P6-E3-86A
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,084
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS5P6-E3/86A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS5P6-E3/86A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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SS5P6-E3/86A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果690mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr150µA @ 60V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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60V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

80ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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