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SS5P6HM3J_A/H

SS5P6HM3J_A/H

僅供參考

型號 SS5P6HM3J_A/H
PNEDA編號 SS5P6HM3J_A-H
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS5P6HM3J_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS5P6HM3J_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS5P6HM3J_A/H, SS5P6HM3J_A/H數據表 (總頁數: 5, 大小: 96.97 KB)
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SS5P6HM3J_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果690mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr150µA @ 60V
電容@ Vr,F200pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

2.5µA @ 75V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

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