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SS8P2LHM3_A/H

SS8P2LHM3_A/H

僅供參考

型號 SS8P2LHM3_A/H
PNEDA編號 SS8P2LHM3_A-H
描述 DIODE SCHOTTKY 20V 8A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS8P2LHM3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS8P2LHM3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS8P2LHM3_A/H, SS8P2LHM3_A/H數據表 (總頁數: 5, 大小: 94.36 KB)
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SS8P2LHM3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果570mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 30V
電容@ Vr,F330pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

27pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

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