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SSM2212RZ

SSM2212RZ

僅供參考

型號 SSM2212RZ
PNEDA編號 SSM2212RZ
描述 TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC
制造商 Analog Devices
單價 請求報價
庫存 11,028
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM2212RZ資源

品牌 Analog Devices
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM2212RZ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
SSM2212RZ, SSM2212RZ數據表 (總頁數: 12, 大小: 355.63 KB)
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SSM2212RZ規格

制造商Analog Devices Inc.
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual) Matched Pair
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止(最大值)500pA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡200MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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2 NPN (Dual)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

8.5GHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

16 @ 350mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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STMicroelectronics

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7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 100µA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SOT-363

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制造商

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系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 10V

功率-最大

125mW

頻率-過渡

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工作溫度

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