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SSM2212RZ-R7

SSM2212RZ-R7

僅供參考

型號 SSM2212RZ-R7
PNEDA編號 SSM2212RZ-R7
描述 TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC
制造商 Analog Devices
單價 請求報價
庫存 49,680
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM2212RZ-R7資源

品牌 Analog Devices
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM2212RZ-R7
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
SSM2212RZ-R7, SSM2212RZ-R7數據表 (總頁數: 12, 大小: 355.63 KB)
PDFSSM2212CPZ-R7數據表 封面
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SSM2212RZ-R7規格

制造商Analog Devices Inc.
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual) Matched Pair
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止(最大值)500pA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡200MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 1mA, 10V

功率-最大

300mW

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晶體管類型

2 PNP (Dual) Matched Pair

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

200mW

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10µA (ICBO)

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