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SSM2212RZ-RL

SSM2212RZ-RL

僅供參考

型號 SSM2212RZ-RL
PNEDA編號 SSM2212RZ-RL
描述 TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC
制造商 Analog Devices
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 23 - 四月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM2212RZ-RL資源

品牌 Analog Devices
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM2212RZ-RL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
SSM2212RZ-RL, SSM2212RZ-RL數據表 (總頁數: 12, 大小: 355.63 KB)
PDFSSM2212CPZ-R7數據表 封面
SSM2212CPZ-R7數據表 頁面 2 SSM2212CPZ-R7數據表 頁面 3 SSM2212CPZ-R7數據表 頁面 4 SSM2212CPZ-R7數據表 頁面 5 SSM2212CPZ-R7數據表 頁面 6 SSM2212CPZ-R7數據表 頁面 7 SSM2212CPZ-R7數據表 頁面 8 SSM2212CPZ-R7數據表 頁面 9 SSM2212CPZ-R7數據表 頁面 10 SSM2212CPZ-R7數據表 頁面 11

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SSM2212RZ-RL規格

制造商Analog Devices Inc.
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual) Matched Pair
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止(最大值)500pA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡200MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 50mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

1.04W

頻率-過渡

132MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 1mA, 10V

功率-最大

400mW

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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