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SSM3H137TU,LF

SSM3H137TU,LF

僅供參考

型號 SSM3H137TU,LF
PNEDA編號 SSM3H137TU-LF
描述 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 45,324
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3H137TU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3H137TU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3H137TU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)34V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs240mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.7V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds119pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)800mW (Ta)
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝UFM
包裝/箱3-SMD, Flat Leads

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Toshiba Semiconductor and Storage

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技術

-

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-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

545pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

86.2W (Tc)

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技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

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Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

512pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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