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SSM3J129TU(TE85L)

SSM3J129TU(TE85L)

僅供參考

型號 SSM3J129TU(TE85L)
PNEDA編號 SSM3J129TU-TE85L
描述 MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3J129TU(TE85L)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3J129TU(TE85L)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3J129TU(TE85L)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSV
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs46mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.1nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds640pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝UFM
包裝/箱3-SMD, Flat Leads

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250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 300mA, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 20V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

1.8W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

680mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 59A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2040pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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