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SSM3J15F,LF

SSM3J15F,LF

僅供參考

型號 SSM3J15F,LF
PNEDA編號 SSM3J15F-LF
描述 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3J15F資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3J15F,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3J15F規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.72mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16480pF @ 25V

FET功能

-

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Ta), 353A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 280µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7288pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 350mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 108µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

95pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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