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SSM3J168F,LF

SSM3J168F,LF

僅供參考

型號 SSM3J168F,LF
PNEDA編號 SSM3J168F-LF
描述 MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,142
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3J168F資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3J168F,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3J168F規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVI
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)400mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3nC @ 10V
Vgs(最大)+20V, -16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds82pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.2W (Ta)
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝S-Mini
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

940pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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3.16A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

47mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

305pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2516pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 95A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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