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SSM3J307T(TE85L,F)

SSM3J307T(TE85L,F)

僅供參考

型號 SSM3J307T(TE85L,F)
PNEDA編號 SSM3J307T-TE85L-F
描述 MOSFET P-CH 20V 5A TSM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,130
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3J307T(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3J307T(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3J307T(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSV
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs31mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1170pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TSM
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 540µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

192W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

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