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SSM3J358R,LF

SSM3J358R,LF

僅供參考

型號 SSM3J358R,LF
PNEDA編號 SSM3J358R-LF
描述 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 29,532
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3J358R資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3J358R,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3J358R規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVII
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 8V
Rds On(Max)@ Id,Vgs22.1mOhm @ 6A, 8V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38.5nC @ 8V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1331pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23F
包裝/箱SOT-23-3 Flat Leads

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 300mA, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 20V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.3A (Ta), 16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 13.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 29W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 18.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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