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SSM3J46CTB(TPL3)

SSM3J46CTB(TPL3)

僅供參考

型號 SSM3J46CTB(TPL3)
PNEDA編號 SSM3J46CTB-TPL3
描述 MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3J46CTB(TPL3)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3J46CTB(TPL3)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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  • SSM3J46CTB(TPL3) Distributor

SSM3J46CTB(TPL3)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVI
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.7nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds290pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝CST3B
包裝/箱3-SMD, No Lead

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

69nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4800pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

67A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.4mOhm @ 67A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 83µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4320pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1835pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

830nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

29550pF @ 25V

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