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SSM3K15AFU,LF

SSM3K15AFU,LF

僅供參考

型號 SSM3K15AFU,LF
PNEDA編號 SSM3K15AFU-LF
描述 MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 134,478
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3K15AFU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3K15AFU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3K15AFU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIII
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.6Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13.5pF @ 3V
FET功能-
功耗(最大值)150mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝USM
包裝/箱SC-70, SOT-323

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3183pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

99W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.95V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4173pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

179W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 7A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

755pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

62W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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