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SSM3K16FU,LF

SSM3K16FU,LF

僅供參考

型號 SSM3K16FU,LF
PNEDA編號 SSM3K16FU-LF
描述 MOSFET N-CH 20V 0.1A USM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3K16FU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3K16FU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3K16FU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列π-MOSVI
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9.3pF @ 3V
FET功能-
功耗(最大值)150mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝USM
包裝/箱SC-70, SOT-323

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5460pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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-

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

-

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