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SSM3K37FS,LF

SSM3K37FS,LF

僅供參考

型號 SSM3K37FS,LF
PNEDA編號 SSM3K37FS-LF
描述 MOSFET NCH 20V 200MA SSM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3K37FS資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3K37FS,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3K37FS規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIII
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds12pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)100mW (Ta)
工作溫度150°C (TA)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SSM
包裝/箱SC-75, SOT-416

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漏極至源極電壓(Vdss)

120V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

207.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11384pF @ 60V

FET功能

-

功耗(最大值)

405W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta), 30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2425pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

171A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 103A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

227nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10470pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

517W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2350pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8645pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

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