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SSM6K504NU,LF

SSM6K504NU,LF

僅供參考

型號 SSM6K504NU,LF
PNEDA編號 SSM6K504NU-LF
描述 MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6K504NU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6K504NU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM6K504NU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVII
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs19.5mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.8nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds620pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.25W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-UDFNB (2x2)
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

54mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

632pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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