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SSM6K513NU,LF

SSM6K513NU,LF

僅供參考

型號 SSM6K513NU,LF
PNEDA編號 SSM6K513NU-LF
描述 MOSFET NCH 30V 15A UDFNB
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6K513NU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6K513NU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SSM6K513NU, SSM6K513NU數據表 (總頁數: 6, 大小: 263.31 KB)
PDFSSM6K513NU數據表 封面
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SSM6K513NU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIX-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.9mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1130pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.25W (Ta)
工作溫度150°C (TA)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-UDFNB (2x2)
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.5mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1696pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 500mA, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 15V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

700W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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14.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 14.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

73nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3845pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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FET功能

-

功耗(最大值)

107W (Tc)

工作溫度

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