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SSM6N357R,LF

SSM6N357R,LF

僅供參考

型號 SSM6N357R,LF
PNEDA編號 SSM6N357R-LF
描述 SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 25,764
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6N357R資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6N357R,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6N357R規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)650mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds60pF @ 12V
功率-最大1.5W (Ta)
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝6-TSOP-F

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1542pF @ 25V

功率-最大

53W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 10V

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.7A, 14.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1252pF @ 15V

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 10V

功率-最大

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