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SSM6N815R,LF

SSM6N815R,LF

僅供參考

型號 SSM6N815R,LF
PNEDA編號 SSM6N815R-LF
描述 MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6N815R資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6N815R,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6N815R規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVIII-H
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 4V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs103mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.1nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds290pF @ 15V
功率-最大1.8W (Ta)
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝6-TSOP-F

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.1mOhm @ 18.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1260pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4507pF @ 25V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.7mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2890pF @ 25V

功率-最大

50W

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

245mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 125mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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