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SST25VF080B-50-4I-QAE-T

SST25VF080B-50-4I-QAE-T

僅供參考

型號 SST25VF080B-50-4I-QAE-T
PNEDA編號 SST25VF080B-50-4I-QAE-T
描述 IC FLASH 8M SPI 50MHZ 8WSON
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 2,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SST25VF080B-50-4I-QAE-T資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SST25VF080B-50-4I-QAE-T
類別半導體內存IC內存

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SST25VF080B-50-4I-QAE-T規格

制造商Microchip Technology
系列SST25
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小8Mb (1M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率50MHz
寫周期-字,頁10µs
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (5x6)

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

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系列

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-VFBGA

供應商設備包裝

48-VFBGA (6x8)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND (SLC)

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Adesto Technologies

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

32Mb (512 Bytes x 8192 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

8µs, 4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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