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SST26WF040BAT-104I/NP

SST26WF040BAT-104I/NP

僅供參考

型號 SST26WF040BAT-104I/NP
PNEDA編號 SST26WF040BAT-104I-NP
描述 IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8USON
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SST26WF040BAT-104I/NP資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SST26WF040BAT-104I/NP
類別半導體內存IC內存

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SST26WF040BAT-104I/NP規格

制造商Microchip Technology
系列SST26 SQI®
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁1.5ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-UFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-USON (2x3)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

96ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

75ns

訪問時間

75ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-TBGA

供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (64M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

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內存格式

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

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時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.4ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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