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SST2907AHZGT116

SST2907AHZGT116

僅供參考

型號 SST2907AHZGT116
PNEDA編號 SST2907AHZGT116
描述 PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR (SWI
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 26,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SST2907AHZGT116資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SST2907AHZGT116
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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SST2907AHZGT116規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大200mW
頻率-過渡200MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SST3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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550mV @ 1.25mA, 50mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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