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SST39LF512-45-4C-NHE-T

SST39LF512-45-4C-NHE-T

僅供參考

型號 SST39LF512-45-4C-NHE-T
PNEDA編號 SST39LF512-45-4C-NHE-T
描述 IC FLASH 512K PARALLEL 32PLCC
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SST39LF512-45-4C-NHE-T資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SST39LF512-45-4C-NHE-T
類別半導體內存IC內存

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SST39LF512-45-4C-NHE-T規格

制造商Microchip Technology
系列SST39 MPF™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小512Kb (64K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20µs
訪問時間45ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝32-PLCC (11.43x13.97)

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內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

165-CABGA (13x15)

M25PE80-VMN6TPBA TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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供應商設備包裝

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