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SSVBC846BPDW1T1G

SSVBC846BPDW1T1G

僅供參考

型號 SSVBC846BPDW1T1G
PNEDA編號 SSVBC846BPDW1T1G
描述 TRANS NPN/PNP 65V SOT363
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 79,440
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSVBC846BPDW1T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSVBC846BPDW1T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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SSVBC846BPDW1T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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