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STB130NS04ZBT4

STB130NS04ZBT4

僅供參考

型號 STB130NS04ZBT4
PNEDA編號 STB130NS04ZBT4
描述 MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB130NS04ZBT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB130NS04ZBT4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STB130NS04ZBT4, STB130NS04ZBT4數據表 (總頁數: 16, 大小: 397.42 KB)
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STB130NS04ZBT4規格

制造商STMicroelectronics
系列MESH OVERLAY™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)33V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs80nC @ 10V
Vgs(最大)Clamped
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 9A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

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FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 78A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5330pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10500pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 960µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

88nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2267pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

219W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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