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STB21NK50Z

STB21NK50Z

僅供參考

型號 STB21NK50Z
PNEDA編號 STB21NK50Z
描述 MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB21NK50Z資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB21NK50Z
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STB21NK50Z, STB21NK50Z數據表 (總頁數: 15, 大小: 816.6 KB)
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STB21NK50Z規格

制造商STMicroelectronics
系列Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs270mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs119nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)190W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

47A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 23.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 160W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK (TO-263AB)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STN1HNK60

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

156pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2370pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

550mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

920mOhm @ 300mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.05nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

530mW (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

250W (Tc)

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