STB30N65M5
僅供參考
| 型號 | STB30N65M5 |
| PNEDA編號 | STB30N65M5 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 19,440 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
STB30N65M5資源
| 品牌 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | STB30N65M5 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
| 數據表 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
在PNEDA，我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。
我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的：
及時響應
我們的團隊會迅速響應您的要求，並立即開始尋找您的零件。
保證質量
我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時，防止假冒產品。
全局訪問
我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。
Hot search vocabulary
- STB30N65M5 Datasheet
- where to find STB30N65M5
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STB30N65M5
- STB30N65M5 PDF Datasheet
- STB30N65M5 Stock
- STB30N65M5 Pinout
- Datasheet STB30N65M5
- STB30N65M5 Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STB30N65M5 Price
- STB30N65M5 Distributor
STB30N65M5規格
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 系列 | MDmesh™ V |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 650V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 22A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 139mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 5V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 64nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±25V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 2880pF @ 100V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 140W (Tc) |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包裝 | D2PAK |
| 包裝/箱 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
您可能感興趣的產品
|
制造商 Infineon Technologies 系列 CoolMOS™ P7 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 280mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 190µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 18nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 761pF @ 400V FET功能 - 功耗（最大值） 53W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.8Ohm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 20nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 350pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 2.5W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-Pak 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 3.6Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 12nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 170pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-Pak 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 Nexperia USA Inc. 系列 * FET類型 - 技術 - 漏極至源極電壓（Vdss） - 電流-25°C時的連續漏極（Id） - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱 SC-100, SOT-669 |
制造商 Microsemi Corporation 系列 POWER MOS 7® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 780mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 95nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2525pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 403W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247 [B] 包裝/箱 TO-247-3 |
