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STB30NM50N

STB30NM50N

僅供參考

型號 STB30NM50N
PNEDA編號 STB30NM50N
描述 MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,740
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB30NM50N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB30NM50N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STB30NM50N, STB30NM50N數據表 (總頁數: 18, 大小: 622.28 KB)
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STB30NM50N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)27A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs115mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs94nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2740pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)190W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

20W (Tc)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

35V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

960pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta), 15W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1050pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Ta), 168A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3480pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

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