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STB40N20

STB40N20

僅供參考

型號 STB40N20
PNEDA編號 STB40N20
描述 MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 8 - 十一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB40N20資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB40N20
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STB40N20, STB40N20數據表 (總頁數: 18, 大小: 501.23 KB)
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STB40N20規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs75nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)160W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

330nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

625W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

SOT-227B

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

IPB054N06N3GATMA1

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制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 58µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6600pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

115W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK (TO-263AB)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTTFS4945NTAG

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A (Ta), 34A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1194pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

890mW (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1.372nF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.28W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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