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STB80NF03L-04T4

STB80NF03L-04T4

僅供參考

型號 STB80NF03L-04T4
PNEDA編號 STB80NF03L-04T4
描述 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB80NF03L-04T4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB80NF03L-04T4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STB80NF03L-04T4規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-60°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

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46A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 24.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1.25mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4340pF @ 400V

FET功能

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功耗(最大值)

227W (Tc)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

372pF @ 100V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 5V

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