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STBV42G-AP

STBV42G-AP

僅供參考

型號 STBV42G-AP
PNEDA編號 STBV42G-AP
描述 TRANS NPN 400V 1A TO-92AP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,870
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STBV42G-AP資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STBV42G-AP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
STBV42G-AP, STBV42G-AP數據表 (總頁數: 10, 大小: 260.95 KB)
PDFSTBV42G-AP數據表 封面
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STBV42G-AP規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 250mA, 750mA
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 400mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92AP

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500pA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

190mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

550MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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