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STD10P6F6

STD10P6F6

僅供參考

型號 STD10P6F6
PNEDA編號 STD10P6F6
描述 MOSFET P CH 60V 10A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 52,380
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD10P6F6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD10P6F6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STD10P6F6, STD10P6F6數據表 (總頁數: 24, 大小: 1,198.61 KB)
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STD10P6F6規格

制造商STMicroelectronics
系列DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.4nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds340pF @ 48V
FET功能-
功耗(最大值)35W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8300pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4940pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

215W (Tc)

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